期刊文献+

HF浓度对电化学法制备多孔硅结构的影响

下载PDF
导出
摘要 本文介绍了采用电化学制备多孔硅技术,在固定光强、温度、电流等实验条件下,通过改变电解液中HF酸浓度,测量对比了相应多孔硅的特性,找出HF浓度对电化学法制备多孔硅结构的影响.
作者 许亮
出处 《枣庄学院学报》 2015年第5期62-64,共3页 Journal of Zaozhuang University
基金 国家自然科学基金项目(项目编号:41101263)
  • 相关文献

参考文献3

  • 1L. Wang, A. Nichelatti, H. Schellevis, C. de Boer, C. Visser, T.N. Nguyen, P.M. Sarro. "High Aspect Ratio through- Wafer Interconnections for 3D- Microsystems" [ C ]. Proc. 16th IEEE International MEMS conference, January 19 - 23, 2003, Kyoto, Japan,634 - 637.
  • 2M. Christophersen, J. Carstensen, H. F~II, "' Pore Formation Mechanisms for the Si - HF System" [ J ]. Mat. Sci. Eng. 2000, B23, 69 - 70.
  • 3Cho I H, Kim D H, Noha D Y. X -ray photochemical wet etching of n -Si (100) in hydrofluoric solution[J]. Applied Physics Letters, 2006,89 (5) :4104 - 4106.

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部