喷淋式GaN-MOCVD反应室的数值模拟及研究

Numerical simulation and research of spraying GaN-MOCVD reaction chamber

本文以低压、旋转、垂直喷淋式的Ga N-MOCVD反应室为研究对象,运用计算流体力学(CFD)方法对反应室内部的输运过程进行了比较详细数值模拟及研究。数值模拟研究结果发现:在一定外延材料工艺生长参数范围内,加大进气流量(Q)可以有效抑制热浮力效应,从而使反应器内部的流场均匀分布。数值模拟结果不仅对Ga N-MOCVD反应室机械结构设计有重要的指导作用,同时也对高品质的外延材料生长工艺参数优化和调试具有重要的参考价值。