n-GaAs基欧姆接触快速退火的研究

为了提高GaAs基半导体激光器的功率效率和可靠性,对GaAs基半导体激光器欧姆接触工艺条件进行了优化。进行了Ni/AuGe/Ni/Au/n-GaAs在380℃~460℃快速退火温度和40s^80s快速退火时间下欧姆接触的实验研究,并利用矩形传输线模型法对比接触电阻进行了测试。结果表明:Ni/AuGe/Ni/Au/n-GaAs在420℃快速退火温度和60s快速退火时间下形成了较好的接触电阻率2.76×10-6Ω·cm2。