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研究人员开发新型钨基纳米激光器

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摘要 在运行温度130K时,钨基纳米激光器仅仅需要27nW的抽运能量。研究人员认为,由于小尺寸和低功耗的特点,钨基纳米激光器成为光子集成电路中很好的替代品。 华盛顿大学和斯坦福大学的研究人员开发了该器件,关键是他们在器件的光子晶体腔上加了一层钨硒膜。该研究发表于《Nature》。
出处 《现代材料动态》 2015年第9期19-20,共2页 Information of Advanced Materials
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