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研究人员开发新型钨基纳米激光器
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摘要
在运行温度130K时,钨基纳米激光器仅仅需要27nW的抽运能量。研究人员认为,由于小尺寸和低功耗的特点,钨基纳米激光器成为光子集成电路中很好的替代品。 华盛顿大学和斯坦福大学的研究人员开发了该器件,关键是他们在器件的光子晶体腔上加了一层钨硒膜。该研究发表于《Nature》。
出处
《现代材料动态》
2015年第9期19-20,共2页
Information of Advanced Materials
关键词
纳米激光器
研究人员
钨基
开发
《NATURE》
光子集成电路
斯坦福大学
华盛顿大学
分类号
TN248 [电子电信—物理电子学]
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现代材料动态
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