关于N型晶体硅费米能级的研究

采用数值方法计算了掺杂浓度为1016cm-13的N型晶体硅费米能级随温度（O800K）的变化曲线，并讨论了禁带宽度随温度变化时对费米能级的影响。计算结果显示，在温度0K〈R100K的低温弱电离区间，费米能级随温度的升高而逐渐增大；温度约为100K时，最大费米能级位于导带底以下0．059eV处；温度在100K〈T〈700K范围内几乎呈线性下降；温度大于700K时，费米能级逐渐趋于平缓，接近本征半导体硅的费米能级。这些结论与实验吻合。