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第3代半导体材料发展现状及建议被引量：1

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摘要第3代半导体材料即宽禁带半导体材料，又称高温半导体材料，主要包括碳化硅（siC）、氮化镓（GaN）、氮化铝（AlN）、氧化锌（Zn0）、金刚石等。这类材料具有宽的禁带宽度（禁带宽度大于2．2eV）、高的热导率、

作者王兴艳

机构地区工业和信息化部原材料工业研究所

出处《新材料产业》 2015年第10期2-6,共5页 Advanced Materials Industry

关键词宽禁带半导体材料材料发展第3代禁带宽度碳化硅氮化镓氮化铝氧化锌

分类号 TN304 [电子电信—物理电子学]

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新材料产业

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