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基于ANSYS的40.5kV真空灭弧室电场分析 被引量:1

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摘要 建立了电压等级为40.5 k V真空灭弧室的二维模型,利用有限元软件ANSYS计算并分析了该40.5 k V真空灭弧室在不同主屏蔽罩半径下的电场和电位分布,对比了不同主屏蔽罩半径下触头沿面的电场强度分布以及波纹管屏蔽罩与主屏蔽罩弯角之间的电场分布。结果表明:1主屏蔽罩半径越大,其电场强度越小,当半径大到一定程度时,电场强度不再随主屏蔽罩半径的变化而变化;2当主屏蔽罩半径为57 mm时,该40.5 k V真空灭弧室内部场强分布最为均匀。
出处 《电气应用》 2015年第16期71-74,共4页 Electrotechnical Application
基金 国家自然科学基金项目(51207016 51477023) 辽宁省高等学校优秀人才项目(LJQ2014046)
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参考文献7

二级参考文献33

  • 1俞集辉,孟庆福.线性有限元计算的外推插值法[J].电工技术学报,1995,10(3):37-42. 被引量:6
  • 2罗恩泽,刘云鹏,刘卫东,陈陆君,郑茂盛.Fowler-Nordheim公式用于实际场发射体的修正[J].电子学报,1996,24(3):5-9. 被引量:2
  • 3廖敏夫,段雄英,邹积岩.单断口和三断口串联真空灭弧室绝缘击穿统计特性[J].中国电机工程学报,2007,27(12):97-102. 被引量:24
  • 4中野他.真空断路器状况[J].OHM,1987,74(8):57-63.
  • 5王季梅.国外真空开关发展概况[J].高压电器,1980,(5):6-8.
  • 6马志瀛.积极开展高电压真空灭弧室及126 kV以上真空断路器的理论研究和产品开发[J].电器技术,2002,(5):1-6.
  • 7[1]Takuma T,Kawamoto T.Numerical calculation of electric fields with a floating conductor.IEEE Trans on Dielectrics and Electrical Insulation,1997,4 (2):177~ 181
  • 8[2]Jin Weifang.Application of the modified surface charge simulation method for solving axial symmetric electrostatic problems with floating electrodes.4th International Conf on Dielectric Materials,1994:28~ 30
  • 9[5]Cui Xiang.Computation of electric field with floating electrodes.IEEE ICEF' 96,1996:140~143
  • 10[6]Konrad A,Graovac M.The finite element modeing of conductors and floating potentials.IEEE Trans on Magnetics,1996,32 (5):4329~4331

共引文献54

同被引文献8

引证文献1

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