增强芯片可靠性的方法研究

研究了肖特基芯片势垒结构与参数性能的原理,结果表明利用扩散势垒和多层金属化结构设计工艺,使得肖特基势垒界面横向结构十分稳定,器件高温反向特性、低温正向特性得到提高,反向耐压与抗浪涌冲击能力大大增强。多层金属化结构利用几种金属各自的优点相互取长补短,提高了器件的抗热疲劳性能。在电极金属和硅化物层之间形成的扩散势垒可以有效阻止肖特基势垒高度ФB值及理想因子n值发生变化。