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芬兰公司发明原子层沉积新工艺
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摘要
芬兰Picosun Oy公司发明了一种用铜和氧化铌进行原子层沉积(ALD)新工艺。第二代Picohot300源系统使氧化铌和铜的低温(〈150℃)工艺变为可能,它甚至能提供更低的气化温度,使前驱体蒸汽在反应室内均匀有效的分布,即使基体处于低温条件下。
作者
董丽
出处
《现代材料动态》
2015年第10期10-10,共1页
Information of Advanced Materials
关键词
原子层沉积
工艺
发明
芬兰
低温条件
气化温度
氧化铌
第二代
分类号
TQ546 [化学工程—煤化学工程]
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.China Petroleum Processing & Petrochemical Technology,2015,17(4):19-19.
现代材料动态
2015年 第10期
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