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单晶硅生长技术及氧缺陷控制方法 被引量:1

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摘要 本文介绍了单晶硅的基本概念和用途,并对单晶硅的几种主要制备方法做了简单介绍。同时结合生产实际经验,对单晶硅中的主要杂质——氧,提出了几种控制方法。
作者 孙姝
出处 《中小企业管理与科技》 2015年第30期272-272,共1页 Management & Technology of SME
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参考文献2

二级参考文献17

  • 1任丙彦,赵龙,傅洪波,曹中谦,张学强.复合式热屏对Φ200mmCZSi单晶生长速率和氧含量的影响[J].Journal of Semiconductors,2005,26(9):1764-1767. 被引量:6
  • 2Chapin D M, Fuller C S, Pearson G L. A New Silicon p-n Junction Photocell for Converting Solar Radiation into Electrical Power [J]. J Appl Phys, 1954,8: 676-678.
  • 3Lane R L, Kachare A H. Mutiple Czochralski growth of silicon crystals from a single crucible[ J ].J Cryst Growth, 1 980,50: 437 -444.
  • 4Wendy U. Huynh, Janke J. Dittmer. Hybrid Nanorod-Polymer Solar Cells [ J ]. Science, 2002, 295( 5564 ): 2425 -2427.
  • 5Dash W C. Copper Precipitation on Dislocations in Silicon [ J ]. J Appl Phys, 1956, 27 : 1193.
  • 6Dash W C. Silicon Crystals Free of Dislocations[J].J Appl Phys, 1958, 29:736.
  • 7Dash W C. Gold-Induced Climb of Dislocations in Silicon [J].J Appl Phys, 1960, 31 : 2275.
  • 8杨德仁.半导体硅材料[M].北京:机械工业出版社,2005:32-35.
  • 9施正荣.晶体硅太阳能电池的现状和发展[C]//中国第七界光伏会议.杭州,2002:350.
  • 10HAHN S H,TSUKADA T,HOZAWA M,et al.Global analysis of heat transferin Si CZ furnace with specular and diffuse surfaces[J].J Cryst Growth,1998,191:413-420.

共引文献17

同被引文献4

引证文献1

二级引证文献1

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