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高温铁磁性半导体
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摘要
日本东北大学金属材料研究所林好一教授,基于以往很多铁磁性半导体居里温度低于室温而不适用,于是进行大量探索工作,终于发现添加5%Co的TiO2薄膜,其居里温度高达300℃。荧光X-射线全息照相表明,在添加物Co的周围形成了O2和Ti组成的亚氧化物,即金属微氧化的化合物。
出处
《金属功能材料》
CAS
2015年第5期61-61,共1页
Metallic Functional Materials
关键词
磁性半导体
日本东北大学金属材料研究所
TIO2薄膜
高温
铁
居里温度
全息照相
X-射线
分类号
TN304.7 [电子电信—物理电子学]
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金属功能材料
2015年 第5期
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