高温铁磁性半导体

日本东北大学金属材料研究所林好一教授,基于以往很多铁磁性半导体居里温度低于室温而不适用,于是进行大量探索工作,终于发现添加5%Co的TiO2薄膜,其居里温度高达300℃。荧光X-射线全息照相表明,在添加物Co的周围形成了O2和Ti组成的亚氧化物,即金属微氧化的化合物。