Ⅲ-Ⅴ族太阳电池的发展和应用系列讲座(5) 砷化镓基系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳电池的发展和应用(5)

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摘要聚光可利用相对便宜的光学系统，成百上千倍地提高照射到电池表面的太阳光强，相应增加电池的输出功率，降低光伏发电系统的成本。而且，聚光还可提高电池的效率。因为在理想情况下，在一定光强范围，电池的短路电流与光强呈正比，而开路电压随光强呈对数式增长。

作者向贤碧廖显伯

机构地区中国科学院半导体研究所

出处《太阳能》 2015年第10期15-16,20,共3页 Solar Energy

关键词 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳电池砷化镓应用光伏发电系统光学系统输出功率短路电流

参考文献8

1Olson J M, Kurtz S R, Kibbler A E, et al. A 27.3% efficient Gao 51no. ,P/GaAs tandem solar cell[J]. Applied Physics Letters, 1990, 56(7): 623 - 625.
2Bertness K A, Kurtz S R, Friedman D J, et al. 29.5%-efficient GalnP/GaAs tandem solar cells[J]. Applied Physics Letters, 1994, 65(8): 989 - 991.
3Takamoto T, lkeda E, Kurita H, et al. Over 30% efficient lnGaP/GaAs tandem solar cells[J]. Applied Physics Letters, 1997, 70(3): 381 - 383.
4Keener D N, Marvin D C, Brinker D J, et al. Progress toward technology transition of GalnP2/GaAs/Ge multijunction solar cells[A]. Proceedings of 26th IEEE PVSC[C], Anaheim, CA, 1997, 787 - 792.
5Cavicchi B T, Karam N H, Haddad M, et al. Multilayer semiconductor structure with phosphide-passivated germanium substrate[P]. U.S. Patent, 2002-04-30.
6King R R, Fetzer C M, Colter P C, et al. High-efficiency space and terrestrial multijunction solar cells through bandgap control in cell structures[A]. Proceeding of the 29th PVSC[C], New Orleans, 2002.
7Tu J L, Zhang Z W. Wang L X, et al. 28.28% of GalnP2/ InGaAs/Ge triple-junction tandem cells[A]. Proceedings of 31st IEEE PVSC[C], Lake Buena Vista, FL, 2005.
8Kurtz S R, Myers D, Olson J M. Projected performance of three- and four-junction devices using GaAs and GalnP[A]. Proceedings of26th PVSC[C], Anaheim, CA, 1997.

太阳能

2015年第10期

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