瞄准未来-太赫兹晶体管

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摘要基于氮化铟高电子迁移率场效应晶体管实现高速逻辑、混合信号的集成电路显然还有很长的路要走，但研究已经开展起来。目前也取得了一些成果，比如对概念的物理分析。实际操作中也取得一些突破，如在氮化铟上对氮化镓进行高选择性刻蚀；在氮化镓／氮化铟上对金属氧化物半导体结构制备工艺；

出处《集成电路通讯》 2015年第3期48-48,共1页

关键词太赫兹晶体管瞄准场效应晶体管高电子迁移率选择性刻蚀半导体结构金属氧化物氮化铟

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集成电路通讯

2015年第3期

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