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改进的MOSFET制作工艺研究

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摘要 本文针对传统MOSFET制作流程复杂,花费巨大的缺点,提出了一种改进的MOSFET制作方案,在保留MOSFET基本特性基础上,可以大幅度减少工艺流程。并利用此方法成功制作出了MOSFET器件并检测到了良好的电学特性。
作者 韩锴 徐永贵
机构地区 潍坊学院
出处 《潍坊学院学报》 2015年第2期55-57,共3页 Journal of Weifang University
基金 国家自然科学基金青年项目(61404093) 潍坊学院博士基金项目(2014BS02)
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