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英特尔55亿美元巨资升级大连工厂建芯片项目
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摘要
英特尔将其与美光合资开发的最新非易失性存储技术引入中国,并在辽宁大连投资55亿美元,升级原有的英特尔大连工厂以生产“非易失性存储”设备。
出处
《中国机电工业》
2015年第11期22-22,共1页
China Machinery & Electric Industry
关键词
英特尔
大连
工厂
非易失性存储
芯片
存储技术
合资开发
分类号
TP332 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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1
英特尔升级大连工厂,将转产为存储芯片制造[J]
.中国集成电路,2015,24(11):12-13.
2
走向PCIe,跨出互联网[J]
.个人电脑,2014,0(7):89-89.
3
NVRAM:让数据永在——非易失性存储技术的发展[J]
.电子出版,2004(6):55-56.
4
希捷Nytro闪存新品扩大闪存产品组合[J]
.个人电脑,2015,21(9):86-86.
5
英特尔计划将其大连工厂升级为“非易失性存储技术”制造基地 并将其最新技术的生产引入中国[J]
.电脑与电信,2015,0(10):9-10.
6
全新NVMePCIe SSD产品组合[J]
.今日电子,2016,0(6):63-63.
被引量:1
7
QuickLogic针对功耗敏感应用推出PolarPro系列FPGA器件[J]
.电子技术应用,2006,32(6):97-97.
8
JEDEC在上海、台北与圣何塞等地举办的闪存存储技术峰会取得圆满成功[J]
.电子工业专用设备,2009(5):67-68.
9
英特尔大连55亿美元非易失性存储项目提前投产[J]
.中国集成电路,2016,0(8):12-12.
10
吴丽芳.
非易失性存储发展现状及展望[J]
.电脑知识与技术,2016,0(8):229-231.
中国机电工业
2015年 第11期
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