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罗姆率先攻克沟槽式SiC技术难题产品进入量产

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摘要 在全行业不断寻求解决供电问题的大背景下,如何有效地输送并利用所发电力的"功率转换"这一问题备受关注。SiC(碳化硅)功率器件作为可显著减少这种功率转换时的损耗的关键器件备受瞩目。尤其是根据著名的摩尔定律,Si(硅)材料的使用已经接近其理论性能极限。因此,围绕SiC材料的工艺及应用等方面的研究日渐紧迫。罗姆公司(ROHM)是最早进行SiC应用研究的公司之一,一直持续地领先行业开展相关产品的研发,并于2010年成功实现SiC MOSFET的量产。目前,
作者 单祥茹
出处 《中国电子商情》 2015年第9期10-11,共2页 China Electronic Market
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