期刊文献+

电压门控性钾通道与认知功能障碍的研究进展

Voltage-gated potassium channels in cognitive dysfunction
下载PDF
导出
摘要 认知功能障碍患者的增多给社会、家庭带来了沉重的精神和经济负担。电压门控性钾通道(voltage-gated potassium channels,Kv)主要分为延迟整流钾通道和瞬时外向钾通道,参与认知功能障碍的发生。文中对Kv通道与认知功能障碍,以及Kv通道与在学习和记忆过程中起重要作用的N-甲基-D-天冬氨酸(N-methyl-D-aspartic acid,NMDA)受体之间的关系作一综述。 The growing number of cognitive dysfunction patients is bringing heavy mental and financial burdens to the society and families. Voltage-gated potassium channels( Kv),which consist of delayed rectifier potassium channels and transient outward potassium channels,are involved in the incidence of cognitive dysfunction. This review summarized the role of Kv channels in cognitive dysfunction and their relationship with N-methyl-D-aspartic acid receptors( NMDARs) that play an important role in the process of learning and memory.
出处 《医学研究生学报》 CAS 北大核心 2015年第11期1218-1222,共5页 Journal of Medical Postgraduates
基金 国家自然科学基金(81471031)
关键词 认知功能障碍 电压门控性钾通道 延迟整流钾通道 瞬时外向钾通道 NMDA受体 Cognitive dysfunction Voltage-gated potassium channel Delayed rectifier potassium channel Transient outward potassium channel N-methyl-D-aspartic acid receptor
  • 相关文献

参考文献6

二级参考文献183

共引文献34

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部