单电子器件

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摘要 NTT 公司在室温下已研制成能够存储数据和信号处理和极细硅细线单电子器件,耗散功率为以前的1/1000。硅细线为30nm,在硅衬底上照射电子束,作为多晶硅电极,并改变加在这种电极上的电压,可控制硅细线内的电子等运动。在用硅细线的控制电极复盖部分。

作者盛柏桢

出处《半导体信息》 2003年第1期25-25,共1页 Semiconductor Information

关键词单电子硅衬底耗散功率温下纳米技术应用

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半导体信息

2003年第1期

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