高性能AlGaN/GaN HFET

美国得克萨斯大学和伊利诺斯大学联合开发出一种高性能δ掺杂 AlGaN/AIN/GaNHFET,其外延异质结构用低压 MOCVD 方法生长。这种性能极好的器件以半绝缘4H—SiC 作衬底。其外延结构为:一层100nm 的 AIN 缓冲层,3μm的非掺杂 GaN 层,1nm 的AIN 势垒层,然后是在生长5nm 后进行δ掺杂的30nm 厚的 Al0.2Ga0.8N 施主层。