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NEC研制出GaN半导体功率晶体管

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摘要日前,NEC 面向准毫米波频带(30GHz)试制出了 GaN 系半导体功率晶体管,最大功率约为以前的3倍,实现了2.3W 的功率放大。主要面向无线通信产品的射频放大器,力争3～5年后投产。这种晶体管采用了 GaN 和 AlGaN 的异质结以及使用电子束曝光法制成的长度0.

作者盛柏桢

出处《半导体信息》 2003年第1期28-28,共1页 Semiconductor Information

关键词功率晶体管 GaN NEC 射频放大器无线通信产品异质结最大功率漏极电流截止频率栅电极

分类号 TN32 [电子电信—物理电子学]

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