SiC MESFET输出功率为10W

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摘要 Cree Inc 研制成型号为 CRF—22010是碳化硅(SiC)功率金属半导体场效应晶体管(MESFET),并可用于 A 类和 AB 类放大器。这种器件在3GHz 下,最小输出功率为10W(1dB 压缩),在2GHz 下,典型输出功率为12W,典型漏效率45%,典型增益,为12dB。用于+48～VDC 系统的晶体管采用金属陶瓷平坦型管壳或者凹型管壳。

作者盛柏桢

出处《半导体信息》 2003年第1期29-29,共1页 Semiconductor Information

关键词 MESFET 输出功率场效应晶体管管壳平坦型凹型

分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]

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