世界第一个1μm^2的SRAM单元

Intel 公司研究人员研制成世界上最小的 SRAM 存储单元,仅有1μm^2。做成存储器芯片方阵的这些单元是全功能 SRAM 器件的部件,采用 Intel 公司新一代90nm工艺技术制作。这一成就成为实现2003年新生产工艺技术的目标。Intel 公司1μm^2 SRAM 单元为硅工艺技术建立了一个新的密度标准。