摩托罗拉改进SiGe∶C工艺

摩托罗拉公司半导体产品部改进了其0.18μm和0.35μam SiGe∶C HBT 工艺。这种工艺改进有望使得包括蜂窝电话在内的便携式通信产品的电池寿命更长,通话时间也更长。摩托罗拉的工艺方法是将一只高性能的 HBT 与 CMOS 模拟功能及数字功能集成在一块芯片上。采用0.35μm BiCMOS 工艺,截止频率从50 GHz提高到80 GHz,采用0.18μm BiCMOS 工艺,截止频率从50 GHz提高到120 GHz,最小噪声系数从0.9 dB 减小到0.3 dB。上述性能是通过晶体管纵横尺寸比例定标来实现的。摩托罗拉 RF/IF 硅工艺负责人说,他们设计的全套无源工艺、RE/模拟 MOS 工艺以及最佳化 SiGe∶C工艺可开发新产品,同时又可以减小现有产品的电流。