IR推出全新30V功率MOSFET

国际整流器公司（IR）推出 IRLR7833及 IRLR—7821两款 HEXFET 功率 MOS-FET,它们以最新的条形沟槽（Stripe—trench）技术设计,为当今 D—pak 封装市场上通态电阻(RDS（on）最低的30 V MOSFET。两款新器件专为同步降压变换电路而设计,适用于服务器、台式和笔记本电脑,以及网络和通信设备中的负载点（Point—of—load）变换器。IR LR7833还可用于隔离式变换器的副边同步整流。与同类直流一直流变换器 MOSFET相比,这两款 MOSFET,能将效率提高到25%或节省25%的元件数目。与上一代器件相比,IRLR7833的通态电阻降低了50%,特别适用于同步 MOSFET 应用;IRLR7821的栅电荷则降低了30%多,为理想的控制 MOSFET。两款新器件的额定栅电压均达到20 V,因此更加坚固耐用。