IBM开发出350GHz SiGe双极晶体管

据《Semiconductor FPD World》2003年第一期报道,美国 IBM 公司采用 SiGe 双极技术,通过对设计方案的改进开发了具有350 GHz 的 SiGe 双极晶体管。该公司计划在未来两年内使用新器件用于150 GHz 以上的高速通信芯片中。CMOS 器件的电子为水平运动,为了缩短电通路,必须缩小管子的体积,在技术上具有一定难度,且成本也高。而双极器件的电子为垂直运动,管子越薄就越能实现其高速性能。IBM 公司开发了垂直剖面标准(Profile Scaling)技术,缩短了电通路,提高了器件的高速性能。