安森美推出PIn PAK封装技术

导出

摘要安森美半导体推出PIn PAK(电源集成封装)技术。该技术包括装配模拟驱动器裸片于标准 QFN 封装内。然后该模拟 QFN 连同两块 MOSFET 裸片共同封装在一个主电源QFN 导线架内。整个模块以 Mold Array Process(MAP)塑模。率先采用该封装的 NIS3001由 QFN 封装的 CMOS 模拟门驱动器 NCP5351和两个MOSFET 裸片组成。

作者江兴

出处《半导体信息》 2003年第2期32-32,共1页 Semiconductor Information

关键词安森美半导体 PIN PAK 主电源塑模降压转换器寄生电感电路板空间转换性分立器件延迟时间

分类号 TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学] F416.63 [经济管理—产业经济]

引文网络
相关文献

1Vishay推出新系列半桥600V及1200 V IGBT模块[J].半导体技术,2008,33(4):374-374.
2SiB800EDK：n通道功率MOSFET／肖特基二极管[J].世界电子元器件,2009(1):54-54.
3Vishay推出业内首款非对称封装双芯片MOSFET[J].中国集成电路,2014,23(1):10-10.
48A、600V超快速整流器[J].国外电子元器件,2006(7):9-9.
51200V Z-Rec碳化硅肖特基二极管[J].今日电子,2011(11):65-65.
614位AFE增强信号转换性能[J].电子设计技术 EDN CHINA,2006,13(2):20-20.
7Vishay发布18款FRED Pt Hyperfast和Ultrafast整流器[J].电子设计工程,2011,19(18):186-186.
8业界最快的高清图像处理14位模拟集成电路[J].电子制作,2006(2):5-5.
98x8 Dual Cool封装的中压MOSFET[J].今日电子,2015,0(10):67-68.
10江兴.Vishay推出采用3.3×3.3mm Power PAK封装的功率MOSFET[J].半导体信息,2004,0(5):24-24.

半导体信息

2003年第2期

浏览历史

内容加载中请稍等...

安森美推出PIn PAK封装技术

相关作者

相关机构

相关主题

浏览历史