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600V/50A不穿通的IGBT
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摘要
据《今日电子》2003年4期报道,International Recitifer公司推出新型WARP 2 600V/50 A,35 A和20 A不穿通(NPT)的IGBT,改善了大电流开关电源(SMPS)的关断性能。WARP2 IGBT和HEXFRED二极管共同封在一起,采用IR的薄硅晶片技术制造,能保证少数载流子的耗尽时间更短,从而加快关断,可以忽略关断尾巴电流。
作者
郑冬冬
出处
《半导体信息》
2003年第3期31-31,共1页
Semiconductor Information
关键词
大电流开关
穿通
SMPS
IGBT
硅晶片
今日电子
少数载流子
技术制造
关断开关
工作频率
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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