500V和600V功率MOSFET

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摘要 IR全新600 V K系列HEXFET功率MOSFET导通电阻比上一代器件低45%,可处理多75%的电流。全新MOSFET器件专为电信及数据通信系统设计,适用于额定功率达300 W更高的脱机开关电源(SMPS)所采用的硬开关电路拓扑。此外,IR还针对该应用领域扩充了其500 V K系列MOSFET器件。

作者江兴

出处《半导体信息》 2003年第3期33-33,共1页 Semiconductor Information

关键词导通电阻硬开关通信系统设计开关电源 SMPS 电路拓扑应用领域

分类号 TN386 [电子电信—物理电子学] F416.6 [经济管理—产业经济]

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