摘要
据《微电子技术》2003年第3期报道,美国加州大学采用转移衬底技术已研制成f<sub>max</sub> 为425 GHz,f<sub>T</sub>为141 GHz的InP/InGaAs/InP双异质结双极晶体管(DHBT),这是目前所报道DHBT最高的f<sub>max</sub>,器件的发射极接触面积为0.5μm×0.8μm。在Jc=5×10<sup>4</sup>A/cm<sup>2</sup>下,击穿电压BV CEO为8 V,且使电流增益β为43。
出处
《半导体信息》
2003年第5期16-17,共2页
Semiconductor Information