f_(max)为425GHz转移衬底InP/InGaAs/InP双异质结双极晶体管

据《微电子技术》2003年第3期报道,美国加州大学采用转移衬底技术已研制成fmax 为425 GHz,fT为141 GHz的InP/InGaAs/InP双异质结双极晶体管（DHBT）,这是目前所报道DHBT最高的fmax,器件的发射极接触面积为0.5μm×0.8μm。在Jc=5×104A/cm2下,击穿电压BV CEO为8 V,且使电流增益β为43。