高品质GaN晶片生产新技术

导出

摘要日本Hitachi Cable公司的研究人员开发出用来制备大尺寸独立式GaN晶片被称之为"空隙辅助分离"新技术。在以蓝宝石为衬底,MOVPE生长的GaN模板的TiN顶层膜上氢化物汽相外延生长一层厚GaN层,这种TiN膜为网孔状结构,网孔尺寸20～30nm。

作者陈裕权

出处《半导体信息》 2003年第5期24-25,共2页 Semiconductor Information

关键词汽相外延生长 GAN 独立式真空蒸发孔状 HITACHI 基板网孔外延层弧秒

1S.J.C.Irvine,高国龙.HgCdTe的金属有机汽相外延生长(下)[J].红外,1994(6):25-30.
2S.J.C.Irvine,高国龙.HgCdTe的金属有机汽相外延生长(上)[J].红外,1994(5):1-5.
3陶长远,刘达清.低x值Hg_(1-x)Cd_xTe开管等温汽相外延[J].红外与激光技术,1991,20(2):30-34.
4熊朋,王铮,陈威,史霄,杨师.氮化镓晶片的CMP技术现状与趋势[J].电子工业专用设备,2016,45(1):10-14. 被引量：6
5程祺祥,许毅,王秀珍.Φ50mm多层GaAs气相外延技术[J].稀有金属,1992,16(6):424-427.
6段树坤.MOCVD技术及其源材料[J].低温与特气,1984,2(2):26-35.
7徐宝琨,李钟华,宋利珠,赵慕愚.In-Ga合金源汽相外延生长In_xGa_(1-x)As体系的热力学分析[J].Journal of Semiconductors,1989,10(4):301-308. 被引量：1
8师庆华.高效GaAlAs LED[J].液晶与显示,1990,10(4):48-52.
9邸建华.氢汽相外延生长激光二极管质量的InP／Si[J].发光快报,1995,16(5):34-36.
10周哲.汽相外延ZnSe薄膜的特性[J].发光快报,1993,14(6):23-26.

半导体信息

2003年第5期

浏览历史

内容加载中请稍等...