NRC的分子束外延MODFET

加拿大国家研究院(NRC)的"分子束外延(MBE)生长半绝缘掺C GaN"获得美国专利(专利号6544867)。该专利描述了通过掺杂C并用胺分子束外延生长半绝缘GaN外延层的方法。基于这种AlGaN/GaN异质结构的MODFET演示表明极有望获得高频、高功率和高温性能。用MOCVCD和MBE两种生长技术成功地生长出上述高品质MODFET结构。