高阻率Si衬底取代GaAs衬底

丹麦Topsil半导体材料公司建立了一条高阻率Si衬底新生产线。他们用浮区法生长高阻率Si单晶衬底。用于微波、毫米波领域。该公司声称这种高阻率Si可取代传统的RF衬底,并可将RFMEMS与RF电路全集成。高阻率Si衬底可用来制造电感器、电容器、发射机及接收机芯片、GHz混频器、低损耗微带传输线、共面波导、RFMEMS开关、RFLDMOS。