Sirenza的SiSiC FET获得美国专利

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摘要射频集成电路(RFIC)供货商Sirenza Microdevices公司的碳化硅(SiC)微波场效应晶体管结构获得美国专利。这是其首项"碳化硅上硅"(SiSiC)半导体专利。这种新结构的1—4GHz器件所提供的高功率微波性能超过了目前用任何其它半导体工艺所能达到的微波性能。Sirenza将把这种新器件结构用于未来功放模块中。

作者陈裕权

出处《半导体信息》 2003年第5期27-27,共1页 Semiconductor Information

关键词美国专利 SiSiC FET SIRENZA 场效应晶体管功放模块射频集成电路器件结构高功率微波微波性能半导体工艺

分类号 F471.26 [经济管理—产业经济]

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