用小面可控缓冲层生产出高品质AlGaN

日本名古屋美津大学的一个研究小组演示了用一种新的外延层过生长技术生长的高效率UV—LED,用这种外延层过生长技术可减少蓝宝石上生长材料中的位错密度。这种MOCVD生长技术包括淀积一层20 nm的低温AlN缓冲层,并继之以一层3μm的GaN层。在该GaN层上淀积一条SiO2条形掩膜,并在掩膜窗口里生长小面可控GaN籽晶。然后,这个小面可控GaN衬底再覆盖上一层低温AIN夹层。