冲电气公司开发功率GaN HEMT

据日本《电子材料》2003年第5期报道,日本冲电气工业公司日前开发了用于无线通信的GaN—HEMT功率器件。随着无线通信系统通信容量的增加以及多信道化的发展,在系统内要求收发信机的低功耗和高密度化。该公司为了适应新品的要求开发了以SiC为衬底的GaN—HEMT功率器件。该器件的跨导(gm)高达500mS,过去该公司的最高值是327mS,500mS是同类器件中目前世界最高的放大水平。该器件的最大振荡频率(fmax)为126 GHz,截止频率(ft)为67 GHz。