AlGaN/AlN/GaN大功率微波HEMT

据报道,美国加利福尼亚大学研制成新型异质结AlGaN/AIN/GaN HEMT。对于通常的HEMT在高的电荷密度下,插入极薄的AIN界面层(～1nm)保持高迁移率,提高有效AEc和降低合金散射。基于这种结构器件具有很好的DC和RF性能,在GaN HEMT中也插入AIN界面层。在V_GS在2V下,高的峰值电流为1A/mm,在8GHz下,功率效率为28%时的输出功率密度为8.4W/mm。