IBM发布半导体制造新技术

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摘要《亚太电子商情》2003年10月报道:IBM日前发布了两项可提高半导体元件性能、降低耗电量的半导体制造技术。一项是可直接将应变硅和硅及绝缘膜结构(SDI)相组合的SSDOI技术,另一项技术是在生产互补金属氧化物半导体(CMOS)时,在同一晶圆上使用2种硅基层。对于应变硅,可通过延展锗化硅的低层和最上方的硅层,提高电子迁移率。

作者郑冬冬

出处《半导体信息》 2003年第6期24-25,共2页 Semiconductor Information

关键词半导体制造 IBM 电子迁移率绝缘膜半导体元件空穴迁移率科技开发使用标准副总裁

分类号 TN305 [电子电信—物理电子学]

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1张佐兰.半导体激光器的制造新技术[J].光电子技术,1992,12(1):20-29.
2Vicky.手机收看电视——降低耗电量是关键[J].微电脑世界,2004(12):60-60.
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4高导热多层陶瓷布线基板制造新技术[J].混合微电子技术,1993,4(4):55-56.
5高园园.陶瓷电容器在短波天调中的应用[J].黑龙江科技信息,2014(32):30-30.
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8王振宇,成立,祝俊.微/纳米级微电子机械系统制造新技术[J].半导体技术,2005,30(8):27-33. 被引量：1
9技闻.从纳米制程看晶圆代工之争[J].集成电路应用,2016,0(3):42-42.
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2003年第6期

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