全球首个0.35微米FRAM

导出

摘要 Ramtron International日前宣布推出全球首款基于0.35微米技术的铁电存储器FM25CL04。该铁电存储器的容量为4Kb,工业标准SPI接口,工作电压为3.3V,总线操作频率可达到20MHz。此产品提供快速数据访问,简化与高性能处理器之间的接口,适用电源受限或需要频繁快速进行写入操作的场合,是应用于汽车,办公设备。

作者江兴

出处《半导体信息》 2003年第6期33-33,共1页 Semiconductor Information

关键词 FRAM 铁电存储器微米技术操作频率工业控制工业标准办公设备高性能处理器首款工作电压

分类号 TP333.8 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]

引文网络
相关文献

1朱正伟,吴鸿大.双极5微米技术数据库的结构与实施[J].江南半导体通讯,1991,19(2):21-26.
2沈国治,周诗瑶.PC机显卡技术(一)[J].电脑技术——Hello-IT,2002(9):33-35.
3AKA,飘雪.剖析DDRⅡ内存[J].电脑迷,2005,0(3):21-21.
4“芯”跳2001——CPU完全解剖[J].少年电世界,2001(1):16-20.
5周永欣.走出购买品牌电脑的误区[J].大众软件,2002(8):84-84.
6卢谕纬.“中国芯”:威盛挑战巨人的杀手锏[J].多媒体世界,2001(6):60-61.
7刘靖.0．13微米—开创CPU制造工艺新纪元[J].微型计算机,2001(1):15-15.
8“色”之极品——谈谈电脑中的色彩[J].大众电脑,2003(3):19-21.
9马恕.纳米时代向我们走来从微米向纳米发展的CPU制造工艺[J].电脑自做,2003(5):128-129. 被引量：1
10老诚.你心仪哪种显卡?[J].家用电器,2001(4):5-5.

半导体信息

2003年第6期

浏览历史

内容加载中请稍等...

全球首个0.35微米FRAM

相关作者

相关机构

相关主题

浏览历史