Nitronex演示120W GaN器件

Nitronex公司与航空电子产品制造商Rockwell Collins合作演示了一个120W破记录输出功率的GaN晶体管。该公司制作的这个GaN HEMT器件采用了其基线工艺,器件用于第3代w-CDMA市场,其封装和测试由Rockwell Colling公司负责。在2GHz和28V时,对39mm栅宽的这种器件进行了脉冲测试。当压缩2dB时,器件的增益为11.3dB,效率大于39%。上述结果表明,GaN材料能够在未来RF功率放大器系统中发挥巨大的作用。 Rockwell Collins先进技术中心指出,上述器件特别适用于美国政府的系统计划,如数据链16计划、武器数据链、联合战术无线电系统和飞行导航系统,对这些系统而言,高性能的GaN RF器件是必不可少的。