准绝缘体上的硅场效应晶体管

据《科技开发动态》2003年第10期报导,该发明专利是一种准绝缘体上的硅(SDI)金属—氧化物—半导体场效应晶体管(MOSFET)器件的新结构及实现方法。源漏区下方埋氧是连续的;而沟道区下方的埋氧是非连续的。采用注氧隔离技术来实现的工艺过程是:(1)在半导体衬底中注入低于最优剂量的离子;(2)在器件沟道区光刻生成掩模;(3)在源漏区第二次注入离子,使源漏区注入的总剂量达到最优剂量;高温退火后在源漏区下方形成连续埋氧,沟道区下方形成非连续的埋氧;(4)常规CMOS技术完成器件制作。由于沟道下方的埋氧是非连续的,沟道和硅衬底之间电耦合,从而克服了SDI MOS FET器件的浮体效应和自然效应二大固有缺点。