单晶硅片衬底的磁控溅射铁膜合成二硫化铁制备技术

据《科技开发动态》2003年第8期报导,该单晶硅片衬底的磁控溅射铁膜合成二硫化铁的制备技术,采用位向分别为(100)及(111)的两种单晶硅片为载膜衬底,通过磁控溅射沉积25～150nm厚度的纯铁膜,再将纯铁膜和在硫化温度下能产生80KPa压力所需质量的升化硫粉封装于石英管中,抽真空后密封置于加热炉中,以3℃/min的升温速率加热至400～500℃进行热硫化反应10～20h,以2℃/min的速率降温至室温。