离子注入法制备AIN基稀释磁性半导体材料

据《科技开发动态》2003年第11期报导.离子注入法制备AIN基稀释磁性半导体薄膜材料是将磁性离子如Mn及Fe、Co或Ni等注入AIN半导体薄膜中,即用离子注入的方法以150～250keV的能量注入磁性离子,然后在850～900℃、NH3气氛条件下退火处理。DMS离子注入法是通过离子注入,将Fe、Mn、Co或Ni等磁性离子注入AIN基半导体材料中来制备磁性半导体的方法。与其他直接生产技术相比,该成果能够实现较高的离子掺杂浓度,因而可以制备出高居里温度的磁性半导体材料。