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英特尔推出采用90纳米制造工艺生产的NOR闪存

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摘要 英特尔公司推出全球第一款采用90纳米制造工艺生产的NOR闪存产品——英特尔无线闪存。该款产品是英特尔发展的第九代闪存技术,大小比前一代闪存的品片要小50%左右,将保留无线手持设备制造商所要求的高性能闪存特性。
作者 程文芳
出处 《半导体信息》 2004年第2期29-30,共2页 Semiconductor Information
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