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英特尔推出采用90纳米制造工艺生产的NOR闪存
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摘要
英特尔公司推出全球第一款采用90纳米制造工艺生产的NOR闪存产品——英特尔无线闪存。该款产品是英特尔发展的第九代闪存技术,大小比前一代闪存的品片要小50%左右,将保留无线手持设备制造商所要求的高性能闪存特性。
作者
程文芳
出处
《半导体信息》
2004年第2期29-30,共2页
Semiconductor Information
关键词
制造工艺
闪存技术
NOR闪存
闪存产品
存储密度
芯片尺寸封装
软件解决方案
降低成本
分类号
TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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半导体信息
2004年 第2期
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