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沟道有热、电通道的SOI MOSFET器件制造工艺
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摘要
据《科技开发动态》2004年第2期报导,该发明为沟道有热、电通道的SOI MOSFET器件制造工艺,属于微电子器件制造技术范围。该工艺和体硅及SOI工艺完全兼容,只需在常规CMOS工艺基础上增加一块图形化注氧的掩膜版,通过在Si片上热生长或淀积注氧掩蔽层。
作者
章从福
出处
《半导体信息》
2004年第2期32-32,共1页
Semiconductor Information
关键词
SOI
MOSFET
器件制造
微电子器件
掩膜
科技开发
体硅
淀积
浮体效应
制造技术
高温退火
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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