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纳米器件超高分辨率光刻胶的开发被引量：1

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摘要据日本《电子材料》2004年第1期报道,日本NEC和Tokuyama公司共同开发了高品质的用于纳米结构超高分辨率的电子束曝光光刻胶。是直径为0.7nm的低分子量光刻胶。

作者孙再吉

出处《半导体信息》 2004年第2期32-33,共2页 Semiconductor Information

关键词光刻胶纳米器件超高分辨率低分子量电子材料晶体化分子形态粗糙度溶解性

分类号 TN304 [电子电信—物理电子学]

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半导体信息

2004年第2期

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