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Si上GaN研究

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摘要亚琛电磁研究所订购了一台Aixtron公司的AIX200/4 RF—S设备。这台设备将用来研究基于Si衬底的GaN淀积。预计低成本的Si衬底与GaN结构相结合会大大影响未来高功率RF器件的价格。亚琛电磁研究所将用AIX 200/4

作者陈裕权

出处《半导体信息》 2004年第2期35-35,共1页 Semiconductor Information

关键词淀积 ALGAN SI 亚琛研究中心材料体系

分类号 TN305 [电子电信—物理电子学]

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