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0.13μm铜双嵌入工艺技术的开发

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摘要据《Solid state Adranvde Packaging》2004年第3、4期报道,位于美国德州的International SEMATECH(ISMT)公司已经拥有了可以在12英寸圆片上利用193nm光刻技术、进行0.13μm的极低介电常数材料的铜双嵌入工艺技术。其多孔硅(MSQ)

作者孙再吉

出处《半导体信息》 2004年第3期29-30,共2页 Semiconductor Information

关键词光刻技术工艺技术低介电常数圆片 Packaging 多孔硅金属栅极美国德州硅氧化物晶体厚度

分类号 TN305 [电子电信—物理电子学]

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1Rodney Myrvaagnes,王正华.采用非硅氧化物可以克服硅CMOS集成电路缩小尺寸过程中栅氧化层减薄所带来的问题[J].今日电子,1999(9):13-14.
2胡思福,格林M.硅氧化物反应离子刻蚀均匀性研究(英文)[J].电子科技大学学报,1991,20(2):162-168.
3马琳.SEMATECH联合体的21世纪高超目标[J].电子材料（机电部）,1992(9):8-9.
4David Lammers.在(110)单晶硅上获得高性能nFET[J].集成电路应用,2008(4):24-24.
5云中客.固态的阴极射线管[J].物理,2002,31(12):783-783.
6SOI晶圆拥有了较高精度的运算放大器[J].电子设计技术 EDN CHINA,2006,13(2):24-24.
7陈裕权.Sematech研究用Ge和SiGe作硅MOSFET沟道[J].半导体信息,2006,0(5):31-31.
8David Lammers.Sematech在VLSI会议上报告最新进展[J].集成电路应用,2008(9):30-30.
9朱自强,胡敏,高光义.Si_yO_x薄膜的制备方法与应用研究[J].真空科学与技术,1994,14(5):350-354. 被引量：1
10TSMC将与SEMATECH合作20nm及更先进工艺[J].中国集成电路,2011,20(6):14-15.

半导体信息

2004年第3期

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