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飞利浦与IMEC成功开发出65nm CMOS技术的器件
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摘要
飞利浦和微米及纳米电子研究中心IMEC日前共同宣布,成功制造出具有良好电气性能的65nm CMOS器件。这种65nm技术基于平面90nm bulk CMOS技术缩小版。
作者
刘广荣
出处
《半导体信息》
2004年第3期34-34,共1页
Semiconductor Information
关键词
nm
CMOS技术
IMEC
缩小版
纳米电子
研究中心
门极
电气性能
氧化层厚度
结深
副总裁
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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半导体信息
2004年 第3期
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