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日本Anritsu公司开发出创纪录的504GHz增益一带宽积GaAs HBT放大器

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摘要 日本Anritsu公司的一个研究小组开发出一种新的基于InGap/GaAs异质结构双极晶体管的分配放大器,并达到创纪录的504GHz增益一带宽积。这种两组合单元配置结构80GHz下的增益为16dB。尽管曾多次报导GaAs基HEMT分配放大器,但这些分配放大器的带宽都比类似的InP基器件窄。Anritsu公司的研究小组称。
作者 陈裕权
出处 《半导体信息》 2004年第4期21-21,共1页 Semiconductor Information
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