悬臂外延可改善发光二极管性能

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摘要美国《科学》报道:美国新墨西哥州桑迪亚国家实验室的研究人员为GaN沉积层发明了一种工艺,这种工艺在蓝宝石衬底上横越刻蚀沟槽,称之为悬臂外延,通过减少错位量可以改善发光二极管性能,该错位量与生长在乎面蓝宝石衬底上的材料属同一量级。研究人员在蓝宝石衬底中采用等离子体辅助刻蚀工艺产生支撑架和沟槽的模型。

作者郑冬冬

出处《半导体信息》 2004年第4期28-28,共1页 Semiconductor Information

关键词发光二极管刻蚀工艺蓝宝石衬底支撑架新墨西哥州迪亚沉积层晶核位错密度连续沉积

分类号 TN312.8 [电子电信—物理电子学]

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